垂直結(jié)構(gòu)可以有效解決正裝結(jié)構(gòu)LED的兩個(gè)問(wèn)題，垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED采用高熱導(dǎo)率的襯底（SGe以及Cu等襯底）取代藍(lán)寶石襯底，在很大程度上提高了散熱效率；垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片的兩個(gè)電極分別在LED外延層的兩側(cè)，通過(guò)圖形化的n電極，使得電流幾乎全部垂直流過(guò)LED外延層，橫向流動(dòng)的電流極少，可以避免正裝結(jié)構(gòu)的電流擁擠問(wèn)題，提高發(fā)光效率，同時(shí)也解決了P極的遮光問(wèn)題，提升LED的發(fā)光面積。垂直結(jié)構(gòu)LED的制作方法GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED工藝與正裝結(jié)構(gòu)LED工藝的差異在于，垂直結(jié)構(gòu)LED需要引入襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)。
