在（b）和（e）中，由于兩個(gè)導(dǎo)通的MOSFET成為電流路徑，因此，損耗為導(dǎo)通的MOSFET的導(dǎo)通電阻之和×電流的平方。
在（d）中，由于電流經(jīng)由兩個(gè)MOSFET的寄生二極管，因此損耗是各寄生二極管的VF之和×電流。
在（c）中，由于電流經(jīng)由導(dǎo)通的MOSFET和關(guān)斷的MOSFET的寄生二極管，因此損耗是導(dǎo)通的MOSFET的導(dǎo)通電阻×電流的平方＋關(guān)斷的MOSFET的寄生二極管的VF×電流。
● 轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗
這項(xiàng)有些復(fù)雜。 ?通常，開關(guān)損耗可以通過(guò)以下公式來(lái)計(jì)算。
轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗=0.5×Ea×I×（tr+tf）×fsw
Ea：施加電壓，I：電流，tr：上升時(shí)間，tf：下降時(shí)間，fsw：開關(guān)頻率
但是，tr和fr需要根據(jù)實(shí)際波形求得，而實(shí)際波形并不總是如圖所示的整齊線形，因此需要考慮到這一點(diǎn)。另外，對(duì)施加的電壓和電流進(jìn)行實(shí)際測(cè)量更能獲得可靠的結(jié)果。
使用PWM輸出方式驅(qū)動(dòng)的有刷直流電機(jī)：注意事項(xiàng)
●轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗和噪聲
從前面的公式可以看出，隨著上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf變快，轉(zhuǎn)換損耗（即開關(guān)損耗）會(huì)變小。開關(guān)速度（壓擺率）越快，開關(guān)損耗越小，最終功耗越小=效率越高，但另一方面，開關(guān)噪聲也會(huì)增加。這是因?yàn)樾屎驮肼曋g存在此起彼消的矛盾關(guān)系，因此需要在兩者之間找到折衷方案。
