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D4NS-4CF
規(guī) 格
電源規(guī)格 輸出點(diǎn)數(shù) 輸出型 輸入點(diǎn)數(shù) 程序容量 數(shù)據(jù)存儲容量
CE
CP1W-BAT01
CP1E-E10DR-A
CP1E-E10DT-A
CP1E-E10DT1-A
CP1E-E10DR-D
CP1E-E10DT-D
CP1E-E10DT1-D
CP1E-E14DR-A
CP1E-E20DR-A
CP1E-E30DR-A
CP1E-E40DR-A
CP1W-CIF01
CP1W-CIF11
CP1W-CIF12
CP1W-CIF41
CP1W-ADB21 *
CP1W-DAB21V *
CP1W-MAB221 *
CP1E-E14SDR-A
CP1E-E20SDR-A
CP1E-E30SDR-A
CP1E-E40SDR-A
CP1E-E60SDR-A
產(chǎn)品名稱 型 號 海外規(guī)格
■改良型(E□□S型) CP1E CPU單元
E□□S型
14點(diǎn)
E□□S型
20點(diǎn)
E□□S型
30點(diǎn)
E□□S型
40點(diǎn)
E□□S型
60點(diǎn)
注. CP1W擴(kuò)展I/O單元、CP1W擴(kuò)展單元附帶橫向并排連接用I/O連接電纜(約6cm)。
外圍工具
http://www.jdzj.com/p2/2015-12-3/3401958.html
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D4NS-4CF不會受到振動(dòng)和沖擊的位置和不會發(fā)生共振的方向上。
? 開關(guān)具有物理接點(diǎn)。[標(biāo)題] 環(huán)境中如果存在硅氣體， 則電弧能量會使得氧化硅(SiO 2 )堆積在接點(diǎn)上， 導(dǎo)致接觸不良。 開關(guān)周圍有硅油、 硅填充劑、 硅電線等硅制品時(shí)， 請通過接點(diǎn)保護(hù)電路來抑制電
弧并消除產(chǎn)生硅氣體的源頭。
● 關(guān)于微小負(fù)載型的使用在微小負(fù)載電路的開關(guān)時(shí)使用一般負(fù)載用開關(guān)， 會造成接點(diǎn)故障。請參照下圖在使用范圍內(nèi)使用開關(guān)。此外，即使在下圖區(qū)域內(nèi)使用微小負(fù)載型， 如果使用開關(guān)時(shí)會發(fā)生浪
涌電流的負(fù)載， 也會使接點(diǎn)消耗加劇， 縮短使用壽命， 所以請插入必要的接點(diǎn)保護(hù)電路。最小適用負(fù)載為N水準(zhǔn)參考值。這表示可靠水準(zhǔn)60%(λ 60 )下的故障水準(zhǔn)的水平。λ 60 = 0.5 × 10 ?6 /
次表示可靠水準(zhǔn)60%下推定故障率為1/2,000,000以下。
以上是上海斯鑾自動(dòng)化設(shè)備有限公司對歐姆龍OMROND4NS-4CF產(chǎn)品的簡單說明，如需要更詳細(xì)的資料請聯(lián)系：021-69117281
