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產(chǎn)品簡介
供應(yīng)派恩杰碳化硅 P3M12017K3
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產(chǎn)品價格:¥1
上架日期:2023-06-16 17:23:05
產(chǎn)地:杭州
發(fā)貨地:武漢
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1個
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詳細(xì)說明
    碳化硅(SiC)屬于第三代半導(dǎo)體,SiC MOSFET相比于傳統(tǒng)Si器件更易在高壓、高頻、高溫條件下工作,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的柵氧層可靠性,且高溫下Rdson偏移小可獲得更好的高溫特性,1700V耐壓極適用于眾多電力應(yīng)用場合下接入高壓母線的輔助電源,派恩杰對此SiC MOSFET進(jìn)行優(yōu)化,可以使用0V電壓關(guān)斷,多種封裝形式可直接PIN對PIN直接替換現(xiàn)有高壓Si MOSFET和Si IGBT此 SiC MOSFET采用 TO247-3 引腳封裝可直接PIN對PIN替換同封裝Si MOSFET,提供更高性價比。
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