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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
山東青島可控硅在高壓固態(tài)軟起動(dòng)柜中的作用
產(chǎn)品價(jià)格:¥76000.00元/臺(tái)
上架日期:2021-10-27
發(fā)貨地:湖北 襄陽(yáng)市
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1臺(tái)
瀏覽量:201
詳細(xì)說明
    詳細(xì)參數(shù)
    品牌富門子電氣型號(hào)FGR
    類型軟起動(dòng)加工定制
    用途軟起動(dòng)電機(jī)功率600KW
    外形尺寸1000*1500*2200重量1000kg
    產(chǎn)地襄陽(yáng)

                                              山東青島可控硅在高壓固態(tài)軟起動(dòng)柜中的作用


     可控硅在高壓固態(tài)軟起動(dòng)中的應(yīng)用

    隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的高速發(fā)展,高壓電動(dòng)機(jī)的數(shù)量不斷增加。由于大電機(jī)直接起動(dòng)時(shí)的電流為額定電流的5~7倍,而啟動(dòng)轉(zhuǎn)矩只有額定轉(zhuǎn)矩的0. 4~1. 6倍。它在電網(wǎng)條件(電機(jī)啟動(dòng)時(shí)的電網(wǎng)壓降小于10%)和工藝條件(啟動(dòng)轉(zhuǎn)矩滿足)允許的情況下,可以直接啟動(dòng)。但過大的啟動(dòng)電流、過小的啟動(dòng)轉(zhuǎn)矩和過長(zhǎng)的啟動(dòng)時(shí)間給電機(jī)和電網(wǎng)造成了極大的危害。常導(dǎo)致電網(wǎng)電壓、諧波電壓波動(dòng)的增大,以至前級(jí)跳閘,大大地增加了電網(wǎng)的負(fù)擔(dān)及電網(wǎng)污染,嚴(yán)重影響電網(wǎng)的安全運(yùn)行。同時(shí),也對(duì)自身造成了很大傷害。因此,必須在電源和電機(jī)之間串入軟啟動(dòng)器來解決這些問題。

    可控硅電機(jī)軟啟動(dòng)器的出現(xiàn),很好的解決了以上問題,它彌補(bǔ)了傳統(tǒng)

    軟啟動(dòng)器的各種不足,很好地降低了電機(jī)的起動(dòng)電流,降低了配電容量,延長(zhǎng)了電機(jī)及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動(dòng)參數(shù)可視負(fù)載調(diào)整,易

    于維護(hù)。


    可控硅在高壓固態(tài)軟起動(dòng)中工作原理

    可控硅在高壓固態(tài)軟起動(dòng)器中的應(yīng)用是一種利用可控硅進(jìn)行交流調(diào)壓的應(yīng)用。利用可控硅可以相控改變可控硅導(dǎo)通的相位角來調(diào)節(jié)電壓。

    可控硅移相式軟啟動(dòng)器是改變正弦交流電壓的波形,使之變?yōu)榉钦颐}沖式交流電,通過調(diào)節(jié)其占空比,如圖2所示。

    注釋:

    (1)α:控制角。指觸發(fā)脈沖的加入時(shí)間。

    (2)q:導(dǎo)通角。每半個(gè)周期可控硅導(dǎo)通角度?刂平窃酱螅瑢(dǎo)通角越小,它們的和為定值a+q=p.它改變交流電的平均電壓,其平均電壓是可控的、平滑變化的。

     可控硅在高壓固態(tài)軟起動(dòng)中最關(guān)鍵的功率器件,整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇可控硅額定電流、額定電壓等參數(shù)有很大的關(guān)系。選型的原則應(yīng)該首先考慮工作可靠性,即電流、電壓必須有足夠的余量倍數(shù)。其次應(yīng)考慮經(jīng)濟(jì)性即性價(jià)比,最后應(yīng)考慮安裝美觀、體積盡量減小等。

    對(duì)于6kV、10kV的高壓電機(jī),由于電壓高,所以需要將可控硅反并聯(lián)后再串聯(lián)起來。6kV每相需要6只可控硅(2只反并聯(lián)后,3組串聯(lián)),10kv每相需要10只可控硅(2只反并聯(lián)后,5組串聯(lián))。這樣對(duì)于每只可控硅來說所承受的電壓約為2000V,所以所選擇的可控硅的正反向不重復(fù)額定電壓 VDSM、VRSM 應(yīng)為6500w以上。

          對(duì)可控硅額定電流的選擇,必須考慮電機(jī)的額定工作電流。一般來說,可控硅的電流應(yīng)是電機(jī)額定電流的3~4倍。

    在可控硅高壓電機(jī)軟啟動(dòng)裝置中,采用2個(gè)獨(dú)立可控硅器件反并聯(lián)組成的交流相控調(diào)壓,正負(fù)半周各對(duì)應(yīng)1個(gè)可控硅工作,因此對(duì)2個(gè)反并聯(lián)器件參數(shù)的一致性要求較高。包括可控硅觸發(fā)參數(shù),維持電流參數(shù)等也都盡量要求挑選一致。盡量讓正負(fù)半波對(duì)稱,否則會(huì)有直流成分電流流過電機(jī)。由于電機(jī)為繞組 負(fù)載為電感性的,因此過高的直流份量會(huì)使得電機(jī)定子發(fā)熱嚴(yán)重,甚至?xí)䶮龤щ姍C(jī)繞組,從而使電機(jī)報(bào)廢。

     可控硅保護(hù)

    可控硅承受過電壓、過電流的能力很差,這是它的主要缺點(diǎn)?煽毓璧臒崛萘亢苄。坏┌l(fā)生過電流

    時(shí),溫度急劇上升,可能將PN結(jié)燒壞,造成元件內(nèi)部短路或開路。例如一只100A的可控硅過電流為400A時(shí),僅允許持續(xù)0. 02s,否則將因過熱而損壞;可控硅耐受過電的能力極差,電壓超過其反向擊穿電壓時(shí),即使時(shí)間極短,也容易損壞。若正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時(shí),則可控硅誤導(dǎo)通,導(dǎo)通后的電流較大,使器件受損。


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