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behlke高壓開(kāi)關(guān)

開(kāi)關(guān)，電流取決于導(dǎo)通時(shí)間，可控硅晶閘管。 千安應(yīng)用，充電和放電，撬棍。
  開(kāi)關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間，標(biāo)準(zhǔn)，MOSFET。一般脈沖應(yīng)用、充電和放電、脈沖電場(chǎng)。
  開(kāi)關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間， 高di/dt，MOSFET。大電流、高頻、的突發(fā)能力、快速充放電。 

  開(kāi)關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間，超快， MOSFET 。大電流、高di/dt 、中低頻、超快充放電。
  開(kāi)關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間，低導(dǎo)通電阻，溝槽 FET。  大電流，中速充放電。
  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，標(biāo)準(zhǔn)，MOSFET。 一般脈沖和開(kāi)關(guān)應(yīng)用，快速上升時(shí)間，高頻。
  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等頻率的電流，快速上升時(shí)間。
  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，低電容，MOSFET。 低耦合電容。LC2 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有出色的瞬態(tài)抗擾度。
  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，低導(dǎo)通電阻，碳化硅 FET 和溝槽 FET。 高電流、低導(dǎo)通損耗
  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，交流 MOSFET。pos的雙向開(kāi)關(guān)。＆否定。電壓無(wú)極變化。交流高達(dá) 5 MHz。 

  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，IGBT。中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開(kāi)關(guān)。
  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，MCT 晶閘管。 中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開(kāi)關(guān)。
  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，推挽，MOSFET。半橋配置中的兩個(gè)開(kāi)關(guān)路徑。真正的方波脈沖。
  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，交流推挽，MOSFET。無(wú)極性變化的正負(fù)電壓半橋。
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