由上表可以看出：當(dāng)一類資源區(qū)棄光率30%、二類資源區(qū)棄光率20%時，資本金內(nèi)部收益率低于8%；當(dāng)一類、二類資源區(qū)棄光率20%、三類資源區(qū)棄光率5%~10%時，資本金內(nèi)部收益率低于12%；而一般企業(yè)投資光伏發(fā)電項(xiàng)目對資本金內(nèi)部收益率的起點(diǎn)要求是12%。因此，對比之前電價下降對收益的影響，目前限電棄光、有電無市的問題可能更需要重點(diǎn)關(guān)注。對企業(yè)來說，發(fā)電量上不去就相當(dāng)于拿不松下PLC控制器AFPXHC60TD
| 品名 | 內(nèi)置內(nèi)存 (程序容量) | 規(guī)格 | 訂貨產(chǎn)品號 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| I/O點(diǎn)數(shù) | 電源 電壓 | 輸入 規(guī)格 | 輸出 規(guī)格 | 端子形狀 | ||||
| FP0R-C10 控制單元 | EEP-ROM (16K步) | 10點(diǎn) | 輸入6點(diǎn) 輸出4點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 繼電器2A | 端子臺 | AFP0RC10RS |
| FP0R-C10 控制單元 (帶RS232C端口) | EEP-ROM (16K步) | 10點(diǎn) | 輸入6點(diǎn) 輸出4點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 繼電器2A | 端子臺 | AFP0RC10CRS |
| FP0R-C10 控制單元 (帶RS485端口) | EEP-ROM (16k步) | 10點(diǎn) | 輸入6點(diǎn) 輸出4點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 繼電器2A | 端子臺 | AFP0RC10MRS |
| FP0R-C14 控制單元 | EEP-ROM (16K步) | 14點(diǎn) | 輸入8點(diǎn) 輸出6點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 繼電器2A | 端子臺 | AFP0RC14RS |
| FP0R-C14 控制單元 (帶RS232C端口) | EEP-ROM (16K步) | 14點(diǎn) | 輸入8點(diǎn) 輸出6點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 繼電器2A | 端子臺 | AFP0RC14CRS |
| FP0R-C14 控制單元 (帶RS485端口) | EEP-ROM (16k步) | 14點(diǎn) | 輸入8點(diǎn) 輸出6點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 繼電器2A | 端子臺 | AFP0RC14MRS |
| FP0R-C16 控制單元 | EEP-ROM (16K步) | 16點(diǎn) | 輸入8點(diǎn) 輸出8點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶體管 NPN 0.2A | MIL連接器 | AFP0RC16T |
| 晶體管 PNP 0.2A | AFP0RC16P | |||||||
| FP0R-C16 控制單元 (帶RS232C端口) | EEP-ROM (16K步) | 16點(diǎn) | 輸入8點(diǎn) 輸出8點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶體管 NPN 0.2A | MIL連接器 | AFP0RC16CT |
| 晶體管 PNP 0.2A | AFP0RC16CP | |||||||
| FP0R-C16 控制單元 (帶RS485端口) | EEP-ROM (16k步) | 16點(diǎn) | 輸入8點(diǎn) 輸出8點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶體管 NPN 0.2A | MIL連接器 | AFP0RC16MT |
| 晶體管 PNP 0.2A | AFP0RC16MP | |||||||
| FP0R-C32 控制單元 | EEP-ROM (32K步) | 32點(diǎn) | 輸入16點(diǎn) 輸出16點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶體管 NPN 0.2A | MIL連接器 | AFP0RC32T |
| 晶體管 PNP 0.2A | AFP0RC32P | |||||||
| FP0R-C32 控制單元 (帶RS232C端口) | EEP-ROM (32K步) | 32點(diǎn) | 輸入16點(diǎn) 輸出16點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶體管 NPN 0.2A | MIL連接器 | AFP0RC32CT |
| 晶體管 PNP 0.2A | AFP0RC32CP | |||||||
| FP0R-C32 控制單元 (帶RS485端口) | EEP-ROM (32k步) | 32點(diǎn) | 輸入16點(diǎn) 輸出16點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶體管 NPN 0.2A | MIL連接器 | AFP0RC32MT |
| 晶體管 PNP 0.2A | AFP0RC32MP | |||||||
| FP0R-T32 控制單元 (帶RS232C端口、實(shí)時/時鐘功能) | EEP-ROM (32K步) | 32點(diǎn) | 輸入16點(diǎn) 輸出16點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶體管 NPN 0.2A | MIL連接器 | AFP0RT32CT |
| 晶體管 PNP 0.2A | AFP0RT32CP | |||||||
| FP0R-T32 控制單元 (帶RS485端口?實(shí)時/時鐘功能) | EEP-ROM (32k步) | 32點(diǎn) | 輸入16點(diǎn) 輸出16點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶體管 NPN 0.2A | MIL連接器 | AFP0RT32MT |
| 晶體管 PNP 0.2A | AFP0RT32MP | |||||||
| FP0R-F32 控制單元 (帶RS232C端口?無電池全數(shù)據(jù)自動備份功能) | EEP-ROM (32K步) | 32點(diǎn) | 輸入16點(diǎn) 輸出16點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶體管 NPN 0.2A | MIL連接器 | AFP0RF32CT |
| 晶體管 PNP 0.2A | AFP0RF32CP | |||||||
| FP0R-F32 控制單元 (帶RS485端口?無電池全數(shù)據(jù)自動備份功能) | EEP-ROM (32k步) | 32點(diǎn) | 輸入16點(diǎn) 輸出16點(diǎn) | DC24V | DC24V ±公共端 | 晶體管 NPN 0.2A | MIL連接器 | AFP0RF32MT |
| 晶體管 PNP 0.2A | AFP0RF32MP | |||||||
| ※ | 控制單元附帶于電源電壓訂貨產(chǎn)品號(AFPG805)。 |
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(2)溫度因素溫度是影響鋰電池壽命的關(guān)鍵因素之一，過高的溫度或過低的溫度都會造成活性鋰離子含量的，從而鋰電池壽命。高溫條件下，三元材料各金屬元素的配比及電解液的性能對電池容量有重要影響。在少量循環(huán)之前，電池在高溫下放電容量要高于電池的額定容量和常溫下的容量(如下圖)，這是由于高溫時電解液的黏度低，離子傳質(zhì)快，極片的反應(yīng)活性高，電池才出較高的充放電容量。但是隨著在高溫下循環(huán)增多，電池內(nèi)電解液會出現(xiàn)較快分解，在電極表面生成厚而不均的鈍化膜[4]，電極材料結(jié)構(gòu)，金屬離子溶出，容量衰減嚴(yán)重。在低溫條件下(如-10℃)，電解液粘度增大，離子傳導(dǎo)速度變慢，與外電路電子遷移速度不匹配，電池出現(xiàn)嚴(yán)重極化，充放電容量出現(xiàn)急劇。尤其是在低溫充電的情況下，會出現(xiàn)從正極遷移過來的Li+來不及嵌入到負(fù)極的碳層層格中，在負(fù)極端形成鋰金屬結(jié)晶，電池容量，長時間低溫下充電會引發(fā)鋰枝?
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